Свойство и спецификация Фотоэлемент GaAs (вафля, обломок, светильник, Smd)

M-com фокусировал на научных исследования и разработках фотоэлементов III-V составных материальных включая соединение GaAs, InGaP одиночное, и тандем GaAs/InGaP фотоэлементы. Мы уже изготовляем фотоэлемент эффективности преобразования силы 25% с рядом размера 1 mm x ~ mm 3 дюйма в диаметре. Форма пакета обломоков фотоэлемента может быть светильником и типами SMD.