Описание
Защелка CMOS Quad 3-State R/S
Происхождение товара
Malaysia
Емкость нагрузки (CL)
50,0 pF
Макс I(ol)
0,0024 усилитель
Пиковая температура опускания (Cel)
260
Ток источника питания-макс (ICC)
0,06 мА
Реквизит. Delay @ Nom-Sup
140,0 ns
Задержка распространения (tpd)
300,0 ns
Напряжение питания-мин (Vsup)
3,0 В
Напряжение питания-Max (Vsup)
18,0 В
Время @ пиковая температура опреснения-Max (s)
30