Происхождение товара
Guangdong, China
Тип корпуса
TO-261-4, TO-261AA
Тип Поставщика
От оригинального производителя, Оптовая продажа женское бельё, Агентства, Розничная торговля
Доступные методы
Техническое описание
品名
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Коллектор тока (Ic) (макс)
-
Пробой излучателя коллектора напряжения (макс.)
-
Насыщенность Vce (Макс) @ Ib, Ic
-
Отсек коллектора тока (макс.)
-
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce
-
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Способ Монтажа
Для поверхностного монтажа
Основание резистора-излучателя (R2)
-
Полевых транзисторов типа
N-Channel
Полевого транзистора характеристика
-
Слив в исходное напряжение (Vdss)
55V
Ток-непрерывный слив (Id) при 25 °C
2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 0.25mA
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (Max) @ Vds
230pF @ 25V
Напряжение привода (Макс Rds вкл., мин Rds вкл.)
4V, 10V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
-
Входная емкость (Cies) @ Vce
-
Пробой напряжения (V (BR) GSS)
-
Ток-слив (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Отключение напряжения (VGS off) @ Id
-
Смещение напряжения (Vt)
-
Ток-ворота для утечки анода (Igao)
-
Shipping
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post\More
Media Available:
Please contact us