Описание
D1001UK RF MOSFET RF transistor RF VDMOS transistor
Происхождение товара
Original
Тип корпуса
metal + ceramic
Тип
RF MOSFET RF transistor RF VDMOS transistor
Рабочая температура
-65 to 150°C
Серия
28V devices for frequencies to 1 GHz
Применение
Высокая частота
Тип Поставщика
Оптовая продажа женское бельё, Агентства, Розничная торговля
品名
D1001UK 20W 28V 175MHz RF MOSFET
Пробой излучателя коллектора напряжения (макс.)
standard
Насыщенность Vce (Макс) @ Ib, Ic
standard
Отсек коллектора тока (макс.)
standard
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce
standard
Рабочая Температура
-65 to 150°C
Способ Монтажа
Для поверхностного монтажа
Резистор-основание (R1)
standard
Основание резистора-излучателя (R2)
standard
Полевых транзисторов типа
VDMOS
Полевого транзистора характеристика
Стандарт
Слив в исходное напряжение (Vdss)
70V
Ток-непрерывный слив (Id) при 25 °C
5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
standard
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
standard
Входная емкость (СНПЧ) (Max) @ Vds
60 pF
Номинальный ток (Ампер)
5A
Power-выходная мощность
20W
Напряжение-номинальное
28V
Напряжение привода (Макс Rds вкл., мин Rds вкл.)
standard
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
standard
Входная емкость (Cies) @ Vce
standard
Пробой напряжения (V (BR) GSS)
±20V
Ток-слив (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
1 mA
Отключение напряжения (VGS off) @ Id
70V
Сопротивление-RDS (ВКЛ)
standard
Смещение напряжения (Vt)
standard
Ток-ворота для утечки анода (Igao)
standard
В настоящее время-Peak
standard