Тип крепления
Die 4.6 x 1.6 mm
Описание
N-Channel 200 V 32A (Ta) Surface Mount Die
Происхождение товара
Taiwan, China
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C
Серия
GaNFET (Gallium Nitride)
Тип Поставщика
Розничная торговля
Коллектор тока (Ic) (макс)
6mA
Пробой излучателя коллектора напряжения (макс.)
5V
Насыщенность Vce (Макс) @ Ib, Ic
17.7 nC @5V
Отсек коллектора тока (макс.)
32A
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce
standard
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Резистор-основание (R1)
8 m
Основание резистора-излучателя (R2)
standard
Полевых транзисторов типа
N-Channel
Полевого транзистора характеристика
Transistors
Слив в исходное напряжение (Vdss)
200V
Ток-непрерывный слив (Id) при 25 °C
32A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5V 6mA
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V 6mA
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
17.7 nC @ 5 V
Входная емкость (СНПЧ) (Max) @ Vds
1790 pF @ 100 V
Номинальный ток (Ампер)
standard
Power-выходная мощность
standard
Напряжение привода (Макс Rds вкл., мин Rds вкл.)
5V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
standard
Входная емкость (Cies) @ Vce
standard
Пробой напряжения (V (BR) GSS)
standard
Ток-слив (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
standard
Отключение напряжения (VGS off) @ Id
2.5V @ 6mA
Сопротивление-RDS (ВКЛ)
standard
Смещение напряжения (Vt)
standard
Ток-ворота для утечки анода (Igao)
standard
В настоящее время-Peak
standard
Применения
N-Channel 200 V 32A (Ta) Surface Mount Die
Транзистор типа
Transistors