Происхождение товара
California, United States
Тип Поставщика
От оригинального производителя, Оптовая продажа женское бельё, Агентства, Розничная торговля
Доступные методы
Техническое описание, Фото
品名
MOSFET N-CH 40V 202A TO-220AB
Коллектор тока (Ic) (макс)
-
Пробой излучателя коллектора напряжения (макс.)
-
Насыщенность Vce (Макс) @ Ib, Ic
-
Отсек коллектора тока (макс.)
-
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce
-
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Способ Монтажа
Сквозное отверстие
Основание резистора-излучателя (R2)
-
Полевых транзисторов типа
N-Channel
Слив в исходное напряжение (Vdss)
40V
Ток-непрерывный слив (Id) при 25 °C
202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 121A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250uA
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
196nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (Max) @ Vds
5669pF @ 25V
Напряжение привода (Макс Rds вкл., мин Rds вкл.)
10V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
-
Входная емкость (Cies) @ Vce
-
Пробой напряжения (V (BR) GSS)
-
Ток-слив (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Отключение напряжения (VGS off) @ Id
-
Смещение напряжения (Vt)
-
Ток-ворота для утечки анода (Igao)
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
202A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 121A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250uA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
196nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5669pF @ 25V
Power Dissipation (Max)
333W (Tc)