Описание
D1009UK RF MOSFET RF transistor RF VDMOS transistor
Происхождение товара
Original
Тип корпуса
metal + ceramic
Тип
RF MOSFET RF transistor RF VDMOS transistor
Рабочая температура
-65 to 150°C
Серия
28V devices for frequencies to 1 GHz
Применение
Высокая частота
Тип Поставщика
Оптовая продажа женское бельё, Агентства, Розничная торговля
品名
D1009UK 150W 28V 400MHz RF MOSFET
Коллектор тока (Ic) (макс)
standard
Пробой излучателя коллектора напряжения (макс.)
standard
Насыщенность Vce (Макс) @ Ib, Ic
standard
Отсек коллектора тока (макс.)
standard
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce
standard
Рабочая Температура
-65 to 150°C
Способ Монтажа
Для поверхностного монтажа
Резистор-основание (R1)
standard
Основание резистора-излучателя (R2)
standard
Полевых транзисторов типа
VDMOS
Полевого транзистора характеристика
Стандарт
Слив в исходное напряжение (Vdss)
70V
Ток-непрерывный слив (Id) при 25 °C
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
standard
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
standard
Входная емкость (СНПЧ) (Max) @ Vds
240 pF
Номинальный ток (Ампер)
5A
Power-выходная мощность
150W
Напряжение-номинальное
28V
Напряжение привода (Макс Rds вкл., мин Rds вкл.)
standard
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
standard
Входная емкость (Cies) @ Vce
standard
Пробой напряжения (V (BR) GSS)
±20V
Ток-слив (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
4 mA
Отключение напряжения (VGS off) @ Id
70V
Сопротивление-RDS (ВКЛ)
standard
Смещение напряжения (Vt)
standard
Ток-ворота для утечки анода (Igao)
standard
В настоящее время-Peak
standard