60N60 Новый и оригинальный транзистор IGBT SGT60N60 60T60 IGBT 60A 600 В SGT60N60FD1PN

Пока нет отзывов260 продано

Shenzhen Yuchuan Electronics Co., Ltd.5 yrs

CN

Основные характеристики

Базовая отраслевая спецификация

Модели

SGT60N60FD1

Тип

Подставка

Наименование

original

Тип упаковки

TO-3P

Другие характеристики

Тип крепления

SGT60N60

Описание

SGT60N60

Происхождение товара

SILAN

Тип корпуса

Подставка

Тип

Свяжитесь со службой поддержки клиентов

Рабочая температура

Свяжитесь со службой поддержки клиентов

d/c

В пределах 2

Применение

Свяжитесь со службой поддержки клиентов

Тип Поставщика

От оригинального производителя, Оптовая продажа женское бельё, Агентства

品名

Игбт

Пробой излучателя коллектора напряжения (макс.)

Подставка

Насыщенность Vce (Макс) @ Ib, Ic

Подставка

Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce

Подставка

Рабочая Температура

Подставка

Способ Монтажа

Подставка

Резистор-основание (R1)

Подставка

Основание резистора-излучателя (R2)

Подставка

Слив в исходное напряжение (Vdss)

Подставка

Ток-непрерывный слив (Id) при 25 °C

Подставка

Rds On (Max) @ Id, Vgs

Подставка

Vgs (th) (Max) @ Id

Подставка

Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs

Подставка

Входная емкость (СНПЧ) (Max) @ Vds

Стойка

Частота

Подставка

Номинальный ток (Ампер)

Подставка

Коэффициент шума

Подставка

Power-выходная мощность

Подставка

Напряжение-номинальное

Подставка

Напряжение привода (Макс Rds вкл., мин Rds вкл.)

Подставка

Vgs (макс)

Подставка

Доступны IGBT

Стойка

Конфигурация

Подставка

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

Подставка

Входная емкость (Cies) @ Vce

Подставка

Входной сигнал

Подставка

NTC термистор

Подставка

Пробой напряжения (V (BR) GSS)

Подставка

Ток-слив (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

Подставка

Ток слива (Id)-макс

Подставка

Отключение напряжения (VGS off) @ Id

Подставка

Сопротивление-RDS (ВКЛ)

Подставка

Напряжение

Подставка

Напряжение-выход

Подставка

Смещение напряжения (Vt)

Подставка

Ток-ворота для утечки анода (Igao)

Подставка

Ток-долина (Iv)

Подставка

В настоящее время-Peak

Подставка

Тип

Полевой транзистор

Название продукта

Полевая остановка IGBT

Vceo

600 В

Ток

60А

Пакет

До-247, трубка

Qg

198 nC

Рабочая температура

-55 ℃ ~ 150 ℃

Качество

100% оригинальный 100% бренд

D/C

2018 +

Рассеивание мощности

378 Вт

Упаковка и доставка

Подробности об упаковке

Стандартная трубка и коробка

Реализуемые товары:

Одно наименование товара

Размер одной упаковки:

5X3X1 см

Один вес брутто:

0.010 кг

Развернуть

Срок выполнения заказа

Количество (шт.)	1 - 500	501 - 10000	> 10000
Примерное время (в днях)	2	5	Подлежит согласованию

Изготовление на заказ

Эмблема на заказ

Мин. заказ: 100000

Для получения более подробной информации об изготовлении по индивидуальному заказу, отправить сообщение поставщику

Описание товара от поставщика

1 - 999 шт.

15 718 IDR

1000 - 9999 шт.

14 891 IDR

>= 10000 шт.

14 725 IDR

Варианты

Всего вариантов:

Выбрать сейчас

Транспортировка

Преимущества для участников

Быстрый возврат средствБольше

Защита для этого товара

Delivery via

Expect your order to be delivered before scheduled dates or receive a 10% delay compensation

Безопасные платежи

Каждый ваш платеж на Alibaba.com защищен с помощью надежного SSL-шифрования и протоколов защиты данных PCI DSS

Политика возврата средств и Easy Return

Подайте заявку на возврат средств, если ваш заказ не был отправлен, утерян или были выявлены проблемы с поступившим товаром. Кроме того, для дефектных товаров доступен бесплатный местный возврат