650 В, 2-канальный N-канальный силовой Транзистор MOSFET с быстрым временем переключения для источников питания и управления двигателем PWM

Пока нет отзывов

Aiko Electronics Technology Co., Ltd.1 yr

Основные характеристики

Базовая отраслевая спецификация

Модели

AKF2N65P

Тип

MOSFET

Наименование

AIKO

Тип упаковки

TO-220F

Другие характеристики

Тип крепления

through holes

Описание

Low Intrinsic Capacitances, Excellent Switching Characteristics, Extended Safe Operating Area, Unrivalled Gate Charge, 100% Avalanche Tested

Происхождение товара

Zhejiang, China

Тип корпуса

TO-220F

Тип

MOSFET transistor

Рабочая температура

-55℃~+150℃

Серия

MOSFET

Применение

high efficient DC to DC converters

Тип Поставщика

От оригинального производителя, Оптовая продажа женское бельё

Доступные методы

Техническое описание, Фото

品名

650V 2A N-Channel Power MOSFET

Коллектор тока (Ic) (макс)

2A(TC=25℃), 1.25A(TC=100℃)

Пробой излучателя коллектора напряжения (макс.)

650V

Насыщенность Vce (Макс) @ Ib, Ic

10V

Отсек коллектора тока (макс.)

Мощность макс

28W

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C

Способ Монтажа

Сквозное отверстие

Слив в исходное напряжение (Vdss)

650V

Ток-непрерывный слив (Id) при 25 °C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.8 Ohm

Vgs (th) (Max) @ Id

4.0V

Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs

6.7nC

Входная емкость (СНПЧ) (Max) @ Vds

320pF @ 25V

Номинальный ток (Ампер)

Напряжение-номинальное

650V

Напряжение привода (Макс Rds вкл., мин Rds вкл.)

2.0V

Vgs (макс)

4.0V

Конфигурация

Одиночный

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

10V

Входная емкость (Cies) @ Vce

320pF

Пробой напряжения (V (BR) GSS)

650V

Ток-слив (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

1uA

Ток слива (Id)-макс

Отключение напряжения (VGS off) @ Id

10V

Сопротивление-RDS (ВКЛ)

4.8 Ohm(Max.)

Напряжение-выход

650V

Смещение напряжения (Vt)

±30V

Ток-долина (Iv)

1.25A

В настоящее время-Peak

Применения

Low speed switch

Транзистор типа

MOSFET transistor, N-Channel, Enhancement Mode

VDSS

650V

VGSS

±30V

Drain Current(TC=25℃)

Drain Current(TC=100℃)

1.25A

Single Pulse Avalanche Energy

120mJ

Maximum Power Dissipation(TC=25℃)

28W

Gate-body leakage Current, Forward

100nA

Gate Threshold Voltage

2 V~ 4V

Application 1

UPS Applications

Application 2

DC-DC Converters and AC-DC Power Supply

Развернуть

Срок выполнения заказа

Количество (шт.)	1 - 50000	50001 - 100000000	> 100000000
Примерное время (в днях)	20	30	Подлежит согласованию

Изготовление на заказ

Эмблема на заказ

Мин. заказ: 100000

Индивидуализированная упаковка

Мин. заказ: 100000

Графические настройки

Мин. заказ: 100000

Для получения более подробной информации об изготовлении по индивидуальному заказу, отправить сообщение поставщику

Описание товара от поставщика

50000 - 99999999 шт.

0,20 $

>= 100000000 шт.

0,05 $

Варианты

Всего вариантов:

Выбрать сейчас

Транспортировка

Транспортные решения для выбранного количества в настоящее время недоступны

Преимущества для участников

Быстрый возврат средствБольше

Защита для этого товара

Безопасные платежи

Каждый ваш платеж на Alibaba.com защищен с помощью надежного SSL-шифрования и протоколов защиты данных PCI DSS

Политика возврата средств и Easy Return

Подайте заявку на возврат средств, если ваш заказ не был отправлен, утерян или были выявлены проблемы с поступившим товаром. Кроме того, для дефектных товаров доступен бесплатный местный возврат