Тип крепления
Surface Mount
Описание
MOSFET N-CH 150V 87A TDSON
Происхождение товара
original
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Применение
Реле общего назначения
Тип Поставщика
Розничная торговля
Перекрестная ссылка
BSC093N15NS5ATMA1-ND
Доступные методы
Техническое описание, Фото, EDA/CAD модели
Коллектор тока (Ic) (макс)
original standard
Пробой излучателя коллектора напряжения (макс.)
same as original
Насыщенность Vce (Макс) @ Ib, Ic
original standard
Отсек коллектора тока (макс.)
same as original
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce
original standard
Частота-Переход
same as original
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C(TJ)
Способ Монтажа
Для поверхностного монтажа
Резистор-основание (R1)
original standard
Основание резистора-излучателя (R2)
same as original
Полевых транзисторов типа
N-Channel
Полевого транзистора характеристика
original standard
Слив в исходное напряжение (Vdss)
150 V
Ток-непрерывный слив (Id) при 25 °C
87A(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.3mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.6V @ 107uA
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
40.7 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (Max) @ Vds
3230 pF @ 75 V
Номинальный ток (Ампер)
same as original
Коэффициент шума
original standard
Power-выходная мощность
139W(Tc)
Напряжение-номинальное
same as original
Напряжение привода (Макс Rds вкл., мин Rds вкл.)
8V,10V
Доступны IGBT
original standard
Конфигурация
Single Quad Drain Triple Source
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
same as original
Входная емкость (Cies) @ Vce
original standard
Входной сигнал
same as original
NTC термистор
original standard
Пробой напряжения (V (BR) GSS)
same as original
Ток-слив (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
original standard
Ток слива (Id)-макс
same as original
Отключение напряжения (VGS off) @ Id
original standard
Сопротивление-RDS (ВКЛ)
same as original
Напряжение
original standard
Напряжение-выход
same as original
Смещение напряжения (Vt)
original standard
Ток-ворота для утечки анода (Igao)
same as original
Ток-долина (Iv)
original standard
В настоящее время-Peak
same as original
Применения
GENERAL PURPOSE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Typical Turn-Off Delay Time:
14.4 ns
Typical Turn-On Delay Time:
14 ns
Forward Transconductance - Min:
34 S