Тип корпуса
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Применение
BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE Тип Поставщика
От оригинального производителя, Other Доступные методы
Техническое описание, Other Способ Монтажа
Для поверхностного монтажа Полевых транзисторов типа
2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) Полевого транзистора характеристика
Логический уровень ворота Слив в исходное напряжение (Vdss)
Ток-непрерывный слив (Id) при 25 °C
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (СНПЧ) (Max) @ Vds