Описание
Transistors Irfp150npbf
Происхождение товара
Original
Тип
Discrete Semiconductor Products
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Коллектор тока (Ic) (макс)
N/A
Пробой излучателя коллектора напряжения (макс.)
N/A
Насыщенность Vce (Макс) @ Ib, Ic
N/A
Отсек коллектора тока (макс.)
N/A
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce
N/A
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Способ Монтажа
Сквозное отверстие
Резистор-основание (R1)
N/A
Основание резистора-излучателя (R2)
N/A
Полевых транзисторов типа
N/A
Полевого транзистора характеристика
N/A
Слив в исходное напряжение (Vdss)
100 V
Ток-непрерывный слив (Id) при 25 °C
42A(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
36mOhm
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC
Входная емкость (СНПЧ) (Max) @ Vds
±20V
Номинальный ток (Ампер)
N/A
Power-выходная мощность
N/A
Напряжение-номинальное
N/A
Напряжение привода (Макс Rds вкл., мин Rds вкл.)
N/A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
N/A
Входная емкость (Cies) @ Vce
N/A
Пробой напряжения (V (BR) GSS)
N/A
Ток-слив (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
N/A
Отключение напряжения (VGS off) @ Id
N/A
Сопротивление-RDS (ВКЛ)
N/A
Подробности об упаковке
New and Original, factory sealed packing, it will be pack in one of these packing type: Tube, Tray, Tape and Reel, Tape and Box, Bulk packing, Bag and etc. Please kindly contact us for more details.