Все категории
Подборки рекомендуемых товаров
    Trade Assurance
    Центр покупателей
    Справочный центр
      Скачать приложение
      Стать поставщиком

      Электронные компоненты SGT75T65SDM1P7 75T65S IGBT к-247 650V/75A оригинальный дискретный полупроводник

      Пока нет отзывов
      Shenzhen Xinsheng Microelectronics Technology Co., Ltd.3 yrsCN
      Наведите для увеличения

      Основные характеристики

      Базовая отраслевая спецификация

      Модели
      SGT75T65SDM1P7 75T65S
      Тип
      MOSFET
      Наименование
      XSW
      Тип упаковки
      Для поверхностного монтажа

      Другие характеристики

      Описание
      SGT75T65SDM1P7 75T65S
      Происхождение товара
      Guangdong, China
      Тип корпуса
      --
      d/c
      2SC1815
      Применение
      Плата электрического прибора
      Тип Поставщика
      От оригинального производителя
      Доступные методы
      Другие
      品名
      -
      Коллектор тока (Ic) (макс)
      -
      Пробой излучателя коллектора напряжения (макс.)
      -
      Насыщенность Vce (Макс) @ Ib, Ic
      -
      Отсек коллектора тока (макс.)
      -
      Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce
      -
      Мощность макс
      -
      Частота-Переход
      -
      Рабочая Температура
      -
      Способ Монтажа
      --
      Резистор-основание (R1)
      -
      Основание резистора-излучателя (R2)
      -
      Полевых транзисторов типа
      -
      Полевого транзистора характеристика
      -
      Слив в исходное напряжение (Vdss)
      -
      Ток-непрерывный слив (Id) при 25 °C
      -
      Rds On (Max) @ Id, Vgs
      -
      Vgs (th) (Max) @ Id
      -
      Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
      -
      Входная емкость (СНПЧ) (Max) @ Vds
      -
      Частота
      -
      Номинальный ток (Ампер)
      -
      Коэффициент шума
      -
      Power-выходная мощность
      -
      Напряжение-номинальное
      -
      Напряжение привода (Макс Rds вкл., мин Rds вкл.)
      -
      Vgs (макс)
      -
      Доступны IGBT
      -
      Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
      -
      Входная емкость (Cies) @ Vce
      -
      Входной сигнал
      -
      NTC термистор
      -
      Пробой напряжения (V (BR) GSS)
      -
      Ток-слив (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      Ток слива (Id)-макс
      -
      Отключение напряжения (VGS off) @ Id
      -
      Сопротивление-RDS (ВКЛ)
      -
      Напряжение
      -
      Напряжение-выход
      -
      Смещение напряжения (Vt)
      -
      Ток-ворота для утечки анода (Igao)
      -
      Ток-долина (Iv)
      -
      В настоящее время-Peak
      -
      Применения
      -

      Упаковка и доставка

      Порт
      shenzhen
      Развернуть

      Срок выполнения заказа

      Количество (шт.)1 - 3000 > 3000
      Примерное время (в днях)14Подлежит согласованию

      Изготовление на заказ

      Эмблема на заказ
      Мин. заказ: 100000000
      Индивидуализированная упаковка
      Мин. заказ: 100000000
      Для получения более подробной информации об изготовлении по индивидуальному заказу, отправить сообщение поставщику

      Описание товара от поставщика

      >= 500 шт.
      0,45 $

      Варианты

      Всего вариантов:
      Выбрать сейчас

      Транспортировка

      Транспортные решения для выбранного количества в настоящее время недоступны

      Преимущества для участников

      Быстрый возврат средствБольше

      Защита для этого товара

      Безопасные платежи

      Каждый ваш платеж на Alibaba.com защищен с помощью надежного SSL-шифрования и протоколов защиты данных PCI DSS

      Политика возврата средств и Easy Return

      Подайте заявку на возврат средств, если ваш заказ не был отправлен, утерян или были выявлены проблемы с поступившим товаром. Кроме того, для дефектных товаров доступен бесплатный местный возврат
      Alibaba.com защищает все ваши заказы, размещенные и оплаченные на платформе, с помощью