Тип крепления
Surface mount
Описание
MOSFET P-Channel 30V 5.3A 8SOIC
Происхождение товара
Original
Тип корпуса
8-SOIC (0.154" 3.90mm Width)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Применение
Реле общего назначения
Тип Поставщика
Розничная торговля
Перекрестная ссылка
ONSONSFDS9435A
Доступные методы
Техническое описание, Фото, EDA/CAD модели
Коллектор тока (Ic) (макс)
Standard
Пробой излучателя коллектора напряжения (макс.)
10 V
Насыщенность Vce (Макс) @ Ib, Ic
Standard
Отсек коллектора тока (макс.)
5.3 A
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce
Original
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Способ Монтажа
Для поверхностного монтажа
Резистор-основание (R1)
Standard
Основание резистора-излучателя (R2)
Standard
Полевых транзисторов типа
P-Channel
Полевого транзистора характеристика
Стандарт
Слив в исходное напряжение (Vdss)
30 V
Ток-непрерывный слив (Id) при 25 °C
5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250uA
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (Max) @ Vds
528 pF @ 15 V
Номинальный ток (Ампер)
5.3A
Power-выходная мощность
2.5W (Ta)
Напряжение-номинальное
10 V
Напряжение привода (Макс Rds вкл., мин Rds вкл.)
4.5V, 10V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
Original
Входная емкость (Cies) @ Vce
Original
Пробой напряжения (V (BR) GSS)
10V
Ток-слив (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
5.3A
Отключение напряжения (VGS off) @ Id
10V
Сопротивление-RDS (ВКЛ)
Standard
Смещение напряжения (Vt)
10V
Ток-ворота для утечки анода (Igao)
Standard
В настоящее время-Peak
Standard
Применения
General Purpose
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 5.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
528 pF @ 15 V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Number of Channels
1 Channel
Rds On - Drain-Source Resistance
50 mOhms
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)