G3R160MT12D SIC MOSFET N-CH 22A TO247

Пока нет отзывов

Wuxi Yarun Semiconductor Technology Co., Ltd.7 yrs

Наведите для увеличения

Основные характеристики

Базовая отраслевая спецификация

Модели

G3R160MT12D TO247

Тип

MOSFET

Наименование

Тип упаковки

Для поверхностного монтажа

Другие характеристики

Тип крепления

Нуль

Описание

Мосфет

Происхождение товара

Jiangsu, China

Тип корпуса

To247

Серия

Транзистор

d/c

Нуль

Применение

Выключатель питания схемы

Тип Поставщика

От оригинального производителя, Оптовая продажа женское бельё, Агентства, Розничная торговля, Другое, Other

Перекрестная ссылка

G3R160MT12D TO247

Доступные методы

Техническое описание, Фото, EDA/CAD модели, Другие

品名

Транзистор

Коллектор тока (Ic) (макс)

100А

Пробой излучателя коллектора напряжения (макс.)

600 В

Насыщенность Vce (Макс) @ Ib, Ic

Нуль

Отсек коллектора тока (макс.)

100А

Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce

Нуль

Мощность макс

6 Вт

Частота-Переход

Нуль

Рабочая Температура

От-55 до 150 ℃

Способ Монтажа

Сквозное отверстие

Резистор-основание (R1)

Нуль

Основание резистора-излучателя (R2)

Нуль

Полевых транзисторов типа

Нуль

Полевого транзистора характеристика

Карбид кремния (SiC)

Слив в исходное напряжение (Vdss)

Нуль

Ток-непрерывный слив (Id) при 25 °C

Нуль

Rds On (Max) @ Id, Vgs

Нуль

Vgs (th) (Max) @ Id

Нуль

Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs

Нуль

Входная емкость (СНПЧ) (Max) @ Vds

Нуль

Частота

Нуль

Номинальный ток (Ампер)

Нуль

Коэффициент шума

Нуль

Power-выходная мощность

Нуль

Напряжение-номинальное

Нуль

Напряжение привода (Макс Rds вкл., мин Rds вкл.)

Нуль

Vgs (макс)

Нуль

Доступны IGBT

Нуль

Конфигурация

Одиночный

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

Нуль

Входная емкость (Cies) @ Vce

Нуль

Входной сигнал

Нуль

NTC термистор

Нуль

Пробой напряжения (V (BR) GSS)

Нуль

Ток-слив (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

Нуль

Ток слива (Id)-макс

Нуль

Отключение напряжения (VGS off) @ Id

Нуль

Сопротивление-RDS (ВКЛ)

Нуль

Напряжение

Нуль

Напряжение-выход

Нуль

Смещение напряжения (Vt)

Нуль

Ток-ворота для утечки анода (Igao)

Нуль

Ток-долина (Iv)

Нуль

В настоящее время-Peak

2а

Применения

Нуль

Транзистор типа

Игбт

Соединение с корпусом (DC)

1,3 ℃/W

Rth(j-a)

60 ℃/W

Пиковое напряжение затвора

5 В

VDRM/VRRM

600 В

Он (AV)

8а

Он (RMS)

12А

Итсм

100-110а

Доставка

DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK пост

Дит/ДТ

50A/us

Пиковый ток затвора

2а

Упаковка и доставка

Реализуемые товары:

Одно наименование товара

Размер одной упаковки:

52X11X9 см

Один вес брутто:

6.000 кг

Развернуть

Срок выполнения заказа

Количество (шт.)	1 - 1	2 - 10	11 - 1000	> 1000
Примерное время (в днях)	7	14	22	Подлежит согласованию

Все еще не приняли решение? Сначала получите образцы! Заказать образец

Образцы

Максимальный объем заказа: 1 шт.

Цена образца:

1,45 $/шт.

Изготовление на заказ

Эмблема на заказ

Мин. заказ: 10000

Индивидуализированная упаковка

Мин. заказ: 20000

Графические настройки

Мин. заказ: 10000

Для получения более подробной информации об изготовлении по индивидуальному заказу, отправить сообщение поставщику

Описание товара от поставщика

1 - 9 шт.

725,00 $

10 - 99 шт.

724,00 $

100 - 999 шт.

723,00 $

>= 1000 шт.

722,00 $

Варианты

Всего вариантов:

Выбрать сейчас

Транспортировка

Все еще не приняли решение? Сначала получите образцы! Заказать образец

Образцы

Максимальный объем заказа: 1 шт.

Цена образца:

1,45 $/шт.

Преимущества для участников

Быстрый возврат средствБольше

Защита для этого товара

Безопасные платежи

Каждый ваш платеж на Alibaba.com защищен с помощью надежного SSL-шифрования и протоколов защиты данных PCI DSS

Политика возврата средств и Easy Return

Подайте заявку на возврат средств, если ваш заказ не был отправлен, утерян или были выявлены проблемы с поступившим товаром. Кроме того, для дефектных товаров доступен бесплатный местный возврат