Горячее предложение SIC модуль G3S06008J полупроводниковый Тиристор SiC mosfet

Пока нет отзывов

Shenzhen Bolinhui Electronic Technology Co., Ltd.3 yrs

Наведите для увеличения

Основные характеристики

Базовая отраслевая спецификация

Тип

IGBT модуль

d/c

24 +

Другие характеристики

Тип корпуса

SIC модуль

Тип крепления

Модуль igbt

Описание

Горячее предложение SIC модуль G3S06008J полупроводниковый Тиристор SiC mosfet

Модели

G3S06008J

Происхождение товара

China

Наименование

G3S06008J

Развернуть

Срок выполнения заказа

Количество (шт.)	1 - 10	11 - 100	101 - 1000	> 1000
Примерное время (в днях)	3	7	15	Подлежит согласованию

Описание товара от поставщика

Минимальный объем заказа: 10 шт.

20,00 $ - 25,00 $

Количество

Транспортировка

Транспортные решения для выбранного количества в настоящее время недоступны

Всего товаров (0 вариантов 0 товаров)

$0.00

Общая стоимость доставки

$0.00

Подытог

$0.00

Преимущества для участников

Быстрый возврат средствБольше

Защита для этого товара

Безопасные платежи

Каждый ваш платеж на Alibaba.com защищен с помощью надежного SSL-шифрования и протоколов защиты данных PCI DSS

Политика возврата средств и Easy Return

Подайте заявку на возврат средств, если ваш заказ не был отправлен, утерян или были выявлены проблемы с поступившим товаром. Кроме того, для дефектных товаров доступен бесплатный местный возврат