Все категории
Подборки рекомендуемых товаров
    Trade Assurance
    Центр покупателей
    Справочный центр
      Скачать приложение
      Стать поставщиком

      Eirlr3110z, 100 В, мощный MOSFET в пакете D-Pak, новая и оригинальная интегральная схема в-252

      Пока нет отзывов
      Shenzhen Alite Core Technology Co., Ltd.3 yrsCN
      Наведите для увеличения

      Основные характеристики

      Базовая отраслевая спецификация

      Модели
      IRLR3110Z
      Тип
      MOSFET
      Наименование
      IR
      Тип упаковки
      Для поверхностного монтажа

      Другие характеристики

      Тип крепления
      -
      Описание
      -
      Происхождение товара
      original
      Тип корпуса
      До-252
      Тип
      -
      Рабочая температура
      -
      Серия
      -
      d/c
      Новейший
      Применение
      Активный
      Перекрестная ссылка
      -
      品名
      Eirlr3110z 100 В HEXFET Power MOSFET
      Коллектор тока (Ic) (макс)
      -
      Пробой излучателя коллектора напряжения (макс.)
      -
      Насыщенность Vce (Макс) @ Ib, Ic
      -
      Отсек коллектора тока (макс.)
      -
      Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce
      -
      Мощность макс
      -
      Частота-Переход
      -
      Рабочая Температура
      -
      Способ Монтажа
      -
      Резистор-основание (R1)
      -
      Основание резистора-излучателя (R2)
      -
      Полевых транзисторов типа
      -
      Полевого транзистора характеристика
      -
      Слив в исходное напряжение (Vdss)
      -
      Ток-непрерывный слив (Id) при 25 °C
      -
      Rds On (Max) @ Id, Vgs
      -
      Vgs (th) (Max) @ Id
      -
      Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
      -
      Входная емкость (СНПЧ) (Max) @ Vds
      -
      Частота
      -
      Номинальный ток (Ампер)
      -
      Коэффициент шума
      -
      Power-выходная мощность
      -
      Напряжение-номинальное
      -
      Напряжение привода (Макс Rds вкл., мин Rds вкл.)
      -
      Vgs (макс)
      -
      Доступны IGBT
      -
      Конфигурация
      --
      Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
      -
      Входная емкость (Cies) @ Vce
      -
      Входной сигнал
      -
      NTC термистор
      -
      Пробой напряжения (V (BR) GSS)
      -
      Ток-слив (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      Ток слива (Id)-макс
      -
      Отключение напряжения (VGS off) @ Id
      -
      Сопротивление-RDS (ВКЛ)
      -
      Напряжение
      -
      Напряжение-выход
      -
      Смещение напряжения (Vt)
      -
      Ток-ворота для утечки анода (Igao)
      -
      Ток-долина (Iv)
      -
      В настоящее время-Peak
      -
      Применения
      -

      Упаковка и доставка

      Порт
      SHENZHEN
      Развернуть

      Срок выполнения заказа

      Количество (шт.)1 - 12 - 200201 - 1000 > 1000
      Примерное время (в днях)777Подлежит согласованию

      Изготовление на заказ

      -
      Мин. заказ: 1
      Для получения более подробной информации об изготовлении по индивидуальному заказу, отправить сообщение поставщику

      Описание товара от поставщика

      1 - 99 шт.
      10,14 ₽
      100 - 999 шт.
      8,12 ₽
      >= 1000 шт.
      7,10 ₽

      Варианты

      Всего вариантов:
      Выбрать сейчас

      Транспортировка

      Транспортные решения для выбранного количества в настоящее время недоступны

      Преимущества для участников

      Быстрый возврат средствБольше

      Защита для этого товара

      Безопасные платежи

      Каждый ваш платеж на Alibaba.com защищен с помощью надежного SSL-шифрования и протоколов защиты данных PCI DSS

      Политика возврата средств

      Подайте заявку на возврат средств, если ваш заказ не был отправлен, утерян или были выявлены проблемы с поступившим товаром
      Alibaba.com защищает все ваши заказы, размещенные и оплаченные на платформе, с помощью