Происхождение товара
Japan
Тип корпуса
К-261-4, TO-261AA
Тип Поставщика
От оригинального производителя, Оптовая продажа женское бельё, Агентства, Розничная торговля
Доступные методы
Техническое описание, Фото
品名
MOSFET P-CH 60V 2.5A СОТ-223-4
Коллектор тока (Ic) (макс)
3A
Пробой излучателя коллектора напряжения (макс.)
80V
Насыщенность Vce (Макс) @ Ib, Ic
1,7 V @ 600mA, 3A
Отсек коллектора тока (макс.)
100nA (ICBO)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce
50 @ 100mA, 1V
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Способ Монтажа
Для поверхностного монтажа
Резистор-основание (R1)
--
Основание резистора-излучателя (R2)
-
Полевых транзисторов типа
P-Channel
Полевого транзистора характеристика
-
Слив в исходное напряжение (Vdss)
60V
Ток-непрерывный слив (Id) при 25 °C
2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300 МОм @ 2.5A, алюминиевая крышка, 10В
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250uA
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (Max) @ Vds
601pF @ 30V
Напряжение привода (Макс Rds вкл., мин Rds вкл.)
4,5 V, 10 м
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
-
Входная емкость (Cies) @ Vce
-
Пробой напряжения (V (BR) GSS)
-
Ток-слив (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Отключение напряжения (VGS off) @ Id
-
Смещение напряжения (Vt)
-
Ток-ворота для утечки анода (Igao)
-
Полевых транзисторов типа
Р-канал
Технология
MOSFET (оксид металла)
Vgs (М) (макс.) @ Id
4V @ 250uA
Рабочая температура
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Тип установки
Для поверхностного монтажа
Рассеиваемая мощность (макс)
3 Вт (Ta)
Слив для источник напряжения (создаваемые)
60 V