Все категории
Подборки рекомендуемых товаров
Trade Assurance
Центр покупателей
Справочный центр
Скачать приложение
Стать поставщиком

Высококачественный транзистор IRGP4062D мощность IGBT 24A600V TO247 IR GPD Быстрая доставка

Пока нет отзывов

Основные характеристики

Базовая отраслевая спецификация

Модели
IRGP4062D
Тип
IGBT транзистор
Наименование
Transistors
Тип упаковки
N-CHANNEL

Другие характеристики

Тип крепления
Через отверстие через отверстие
Описание
Траншея IGBT 600V 48A 250W сквозное отверстие
Происхождение товара
China
Тип корпуса
/
Тип
Игбт
Рабочая температура
-55 °C ~ 175 °C (TJ) -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Серия
Другие
d/c
19 + 20 +
Применение
Не применимо
Тип Поставщика
От оригинального производителя, Оптовая продажа женское бельё, Агентства
Перекрестная ссылка
Другие
Доступные методы
Техническое описание, Фото
品名
Транзисторы
Коллектор тока (Ic) (макс)
80а
Пробой излучателя коллектора напряжения (макс.)
75 В
Насыщенность Vce (Макс) @ Ib, Ic
4V @ 3. 2a16a
Отсек коллектора тока (макс.)
80а
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce
25 @ 8A5V
Мощность макс
-
Частота-Переход
4 мГц
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Способ Монтажа
Сквозное отверстие
Резистор-основание (R1)
-
Основание резистора-излучателя (R2)
-
Полевых транзисторов типа
-
Полевого транзистора характеристика
Не применимо
Слив в исходное напряжение (Vdss)
75 В
Ток-непрерывный слив (Id) при 25 °C
80а
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
-
Входная емкость (СНПЧ) (Max) @ Vds
-
Частота
4 мГц
Номинальный ток (Ампер)
80а
Коэффициент шума
-
Power-выходная мощность
-
Напряжение-номинальное
-
Напряжение привода (Макс Rds вкл., мин Rds вкл.)
-
Vgs (макс)
-
Доступны IGBT
-
Конфигурация
Т-образная
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
-
Входная емкость (Cies) @ Vce
-
Входной сигнал
-
NTC термистор
-
Пробой напряжения (V (BR) GSS)
-
Ток-слив (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Ток слива (Id)-макс
-
Отключение напряжения (VGS off) @ Id
-
Сопротивление-RDS (ВКЛ)
-
Напряжение
-
Напряжение-выход
-
Смещение напряжения (Vt)
-
Ток-ворота для утечки анода (Igao)
-
Ток-долина (Iv)
-
В настоящее время-Peak
-
Применения
Не применимо
Транзистор типа
Игбт
Применение транзистора
POWER CONTRO
Вход
---
Тестовое состояние
400 В 24А 10 Ом 15 В
Категория
Игбт
Место происхождения
Китай Гуандун
Приложения
Не применимо-
Фирменное наименование
Транзисторы/
Частота
4 мГц 4 мГц
Напряжение-выход
-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
600V-

Упаковка и доставка

Подробности об упаковке
Стандартный пакет

Срок выполнения заказа

Количество (шт.)1 - 1000 > 1000
Примерное время (в днях)4Подлежит согласованию

Изготовление на заказ

Индивидуализированная упаковка
Мин. заказ: 1

Описание товара от поставщика

Минимальный объем заказа: 1 шт.
0,1024 €

Варианты

Всего вариантов:

Транспортировка

Транспортные решения для выбранного количества в настоящее время недоступны

Преимущества для участников

Быстрый возврат средствБольше

Защита для этого товара

Безопасные платежи

Каждый ваш платеж на Alibaba.com защищен с помощью надежного SSL-шифрования и протоколов защиты данных PCI DSS

Политика возврата средств и Easy Return

Подайте заявку на возврат средств, если ваш заказ не был отправлен, утерян или были выявлены проблемы с поступившим товаром. Кроме того, для дефектных товаров доступен бесплатный местный возврат