Происхождение товара
Japan
Применение
Высокая частота
Тип Поставщика
Агентства, Розничная торговля
Доступные методы
Техническое описание
Коллектор тока (Ic) (макс)
standard
Пробой излучателя коллектора напряжения (макс.)
standard
Насыщенность Vce (Макс) @ Ib, Ic
standard
Отсек коллектора тока (макс.)
standard
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce
standard
Рабочая Температура
standard
Способ Монтажа
Для поверхностного монтажа
Резистор-основание (R1)
standard
Основание резистора-излучателя (R2)
standard
Полевых транзисторов типа
standard
Полевого транзистора характеристика
Диод Шоттки (изолированный)
Слив в исходное напряжение (Vdss)
standard
Ток-непрерывный слив (Id) при 25 °C
standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs
standard
Vgs (th) (Max) @ Id
standard
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
standard
Входная емкость (СНПЧ) (Max) @ Vds
standard
Номинальный ток (Ампер)
standard
Power-выходная мощность
standard
Напряжение-номинальное
standard
Напряжение привода (Макс Rds вкл., мин Rds вкл.)
standard
Конфигурация
Половина моста
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
standard
Входная емкость (Cies) @ Vce
standard
Пробой напряжения (V (BR) GSS)
standard
Ток-слив (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
standard
Ток слива (Id)-макс
standard
Отключение напряжения (VGS off) @ Id
standard
Сопротивление-RDS (ВКЛ)
standard
Смещение напряжения (Vt)
standard
Ток-ворота для утечки анода (Igao)
standard
В настоящее время-Peak
standard
Type 4
RF transistor FLL601IQ-2C
Type 7
microwave transistor FLL601IQ-2C
Type 3
RF MOSFET Transistor FLL601IQ-2C
Type 2
high frequency transistor FLL601IQ-2C
Type 5
Field Effect Transistors FLL601IQ-2C
Type 6
transistor FLL601IQ-2C
type 9
transistor mosfet FLL601IQ-2C
condition
original and new FLL601IQ-2C