Описание
HC50P03D P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs
Происхождение товара
Guangdong, China
Тип
P --Channel MOSFET HC50P03D
Рабочая температура
-40 - 125℃
Серия
Power Mosfet Transistor
Применение
Power management
Тип Поставщика
От оригинального производителя
Доступные методы
Техническое описание
品名
HC50P03D P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs
Пробой излучателя коллектора напряжения (макс.)
Standard
Насыщенность Vce (Макс) @ Ib, Ic
Standard
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce
Standard
Рабочая Температура
150°C (TJ)
Резистор-основание (R1)
Standard
Основание резистора-излучателя (R2)
Standard
Полевых транзисторов типа
MOSFET
Полевого транзистора характеристика
Стандарт
Слив в исходное напряжение (Vdss)
30V
Ток-непрерывный слив (Id) при 25 °C
50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.7mΩ
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
25V
Входная емкость (СНПЧ) (Max) @ Vds
Standard
Номинальный ток (Ампер)
Standard
Power-выходная мощность
Standard
Напряжение-номинальное
Standard
Напряжение привода (Макс Rds вкл., мин Rds вкл.)
Standard
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
Standard
Входная емкость (Cies) @ Vce
Standard
Пробой напряжения (V (BR) GSS)
Standard
Ток-слив (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Standard
Ток слива (Id)-макс
Standard
Отключение напряжения (VGS off) @ Id
Standard
Сопротивление-RDS (ВКЛ)
Standard
Смещение напряжения (Vt)
Standard
Ток-ворота для утечки анода (Igao)
Standard
В настоящее время-Peak
Standard
Parameter
P-Channel 30V 50A
Vds Drain-Source Voltage
30V
VGS Gate-Source Voltage
25V
Quality
100% Original 100% Brand