NTR5198NLT1G N-канал 60 В 1.7A (Ta) 900mW (Ta) Поверхностное крепление SOT-23-3 (TO-236) транзисторы mosfet

Пока нет отзывов

Yunfu Hongkong Electronics Co.,Ltd.2 yrs

CN

Основные характеристики

Базовая отраслевая спецификация

Модели

NTR5198NLT1G

Тип

MOSFET

Наименование

Original brand

Тип упаковки

Для поверхностного монтажа

Другие характеристики

Тип крепления

Поверхностное крепление

Описание

N-CH MOSFET 60V 1.7A SOT23-3

Происхождение товара

Original

Тип корпуса

До-236-3

Тип

Мосфет

Рабочая температура

-55 °C ~ 150 °C (TJ)

Серия

NTR5198NL

d/c

Новейший

Применение

Реле общего назначения

Тип Поставщика

Розничная торговля

Доступные методы

Техническое описание, Фото

品名

Москет

Пробой излучателя коллектора напряжения (макс.)

60 В

Насыщенность Vce (Макс) @ Ib, Ic

-10 В

Отсек коллектора тока (макс.)

1.7A (Ta)

Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce

2,2 А

Мощность макс

900 МВт (Ta)

Частота-Переход

7 нс

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Способ Монтажа

Для поверхностного монтажа

Резистор-основание (R1)

142 mOhms

Основание резистора-излучателя (R2)

142 mOhms

Полевых транзисторов типа

N-Channel

Полевого транзистора характеристика

Стандарт

Слив в исходное напряжение (Vdss)

60 В

Ток-непрерывный слив (Id) при 25 °C

1.7A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4,5 В, 10 В

Vgs (th) (Max) @ Id

2,5 V @ 250uA

Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs

2,8 nC @ 4,5 V

Входная емкость (СНПЧ) (Max) @ Vds

182 pF @ 25 V

Частота

-

Номинальный ток (Ампер)

1uA

Коэффициент шума

N. a

Power-выходная мощность

1500 МВт

Напряжение-номинальное

60 В

Напряжение привода (Макс Rds вкл., мин Rds вкл.)

155mOhm @ 1A, 10V

Vgs (макс)

±20V

Доступны IGBT

-

Конфигурация

Одиночный

Входная емкость (Cies) @ Vce

182 pF

Входной сигнал

25 В

NTC термистор

-

Пробой напряжения (V (BR) GSS)

4,5 В/10 В

Ток-слив (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

2,2 А

Ток слива (Id)-макс

2,2 А

Отключение напряжения (VGS off) @ Id

-20 V + 20 V

Сопротивление-RDS (ВКЛ)

142 mOhms

Напряжение

60 В

Напряжение-выход

2,5 В

Смещение напряжения (Vt)

2,5 В

Ток-ворота для утечки анода (Igao)

-

Ток-долина (Iv)

2,2 А

В настоящее время-Peak

2,2 А

Применения

Общего назначения

Транзистор типа

Мосфет

MOQ

1 Катушка

Статус продукта

В наличии

Тип FET

N-канал

Качество

100% оригинальный 100% бренд

Технологии

MOSFET (оксид металла)

Vgs (макс)

± 20 В

Входная Емкость (Ciss) (Max) @ Vds

182 pF @ 25 V

Стандартный пакет

3000 шт./катушка

Гарантия

365 дней

Обслуживание списка BOM

Да

Упаковка и доставка

Реализуемые товары:

Одно наименование товара

Размер одной упаковки:

19X19X10 см

Один вес брутто:

1.000 кг

Развернуть

Срок выполнения заказа

Количество (шт.)	1 - 3000	> 3000
Примерное время (в днях)	5	Подлежит согласованию

Все еще не приняли решение? Сначала получите образцы! Заказать образец

Образцы

Максимальный объем заказа: 10 шт.

Цена образца:

1,00 $/шт.

Изготовление на заказ

Индивидуализированная упаковка

Мин. заказ: 3000

Для получения более подробной информации об изготовлении по индивидуальному заказу, отправить сообщение поставщику

Описание товара от поставщика

>= 1 шт.

0,60 $

Варианты

Всего вариантов:

Выбрать сейчас

Транспортировка

Все еще не приняли решение? Сначала получите образцы! Заказать образец

Образцы

Максимальный объем заказа: 10 шт.

Цена образца:

1,00 $/шт.

Преимущества для участников

Быстрый возврат средствБольше

Защита для этого товара

Безопасные платежи

Каждый ваш платеж на Alibaba.com защищен с помощью надежного SSL-шифрования и протоколов защиты данных PCI DSS

Политика возврата средств и Easy Return

Подайте заявку на возврат средств, если ваш заказ не был отправлен, утерян или были выявлены проблемы с поступившим товаром. Кроме того, для дефектных товаров доступен бесплатный местный возврат