Тип крепления
Поверхностное крепление
Описание
N-CH MOSFET 60V 115MA SOT23
Происхождение товара
Guangdong, China
Тип корпуса
До-236-3 SC-59 СОТ-23-3
Рабочая температура
55 °C ~ 150 °C (TJ)
Применение
Реле общего назначения
Тип Поставщика
Розничная торговля
Перекрестная ссылка
2N7002-TP
Доступные методы
Техническое описание, Фото, EDA/CAD модели
品名
Дискретные полупроводниковые продукты
Коллектор тока (Ic) (макс)
115mA(Ta)
Пробой излучателя коллектора напряжения (макс.)
60 В
Насыщенность Vce (Макс) @ Ib, Ic
Стандарт
Отсек коллектора тока (макс.)
115mA(Ta)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce
115mA(Ta)
Мощность макс
200 МВт (Ta)
Резистор-основание (R1)
7,5 Ом 500 мА 10 В
Основание резистора-излучателя (R2)
7,5 Ом 500 мА 10 В
Полевых транзисторов типа
N-канал
Полевого транзистора характеристика
Стандарт
Слив в исходное напряжение (Vdss)
60 В
Ток-непрерывный слив (Id) при 25 °C
115mA (Ta), 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7,5 Ом 500 мА 10 В
Vgs (th) (Max) @ Id
2,5 В 250UA
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
50 пФ 25 В
Входная емкость (СНПЧ) (Max) @ Vds
50 пФ 25 В
Номинальный ток (Ампер)
Стандарт
Power-выходная мощность
Стандарт
Напряжение-номинальное
5 В, 10 В
Напряжение привода (Макс Rds вкл., мин Rds вкл.)
5 В, 10 В
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
Стандарт
Входная емкость (Cies) @ Vce
50 пФ 25 В
Пробой напряжения (V (BR) GSS)
Стандарт
Ток-слив (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Стандарт
Ток слива (Id)-макс
Стандарт
Отключение напряжения (VGS off) @ Id
Стандарт
Сопротивление-RDS (ВКЛ)
Стандарт
Смещение напряжения (Vt)
Стандарт
Ток-ворота для утечки анода (Igao)
Стандарт
В настоящее время-Peak
Стандарт
Применения
Общего назначения
Технологии
MOSFET оксид металла
Рассеиваемая мощность (макс)
200 МВт ТА
Пакет устройства поставщика
СОТ-23
Базовый номер продукта
2N7002
Наборы данных
2N7002 лист данных
Учебные модули продукта
Обработка и монтаж диодов