Тип крепления
SMD/SMT, Сквозное отверстие
Описание
Оригинальный, N-CH MOSFET 800 В 4,3 А TO-220FP
Происхождение товара
Guangdong, China
Тип корпуса
До-220-3 полная упаковка
Тип
Радиочастотный транзистор
Рабочая температура
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
品名
N-CH MOSFET 800 В 4,3 А TO-220FP
Коллектор тока (Ic) (макс)
-
Пробой излучателя коллектора напряжения (макс.)
-
Насыщенность Vce (Макс) @ Ib, Ic
-
Отсек коллектора тока (макс.)
-
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce
-
Основание резистора-излучателя (R2)
-
Полевых транзисторов типа
N-канал, N-канал
Полевого транзистора характеристика
-
Слив в исходное напряжение (Vdss)
800 В
Ток-непрерывный слив (Id) при 25 °C
4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4Ohm @ 2.15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4,5 V @ 100uA, 4,5 V @ 100uA
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
45.5nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (Max) @ Vds
910pF @ 25V
Напряжение привода (Макс Rds вкл., мин Rds вкл.)
10 В
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
-
Входная емкость (Cies) @ Vce
-
Пробой напряжения (V (BR) GSS)
-
Ток-слив (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Отключение напряжения (VGS off) @ Id
-
Смещение напряжения (Vt)
-
Ток-ворота для утечки анода (Igao)
-
Напряжение Слива к источнику
800 В
Ток @ 25 ° c
4.3A (Tc)
Плата за ворота @ Vgs
45.5nC @ 10V
Входная емкость @ Vds
4,5 V @ 100uA
Рассеиваемая мощность (макс)
30 Вт (Tc)
Пакет устройства поставщика
TO-220FP
Доставка
DHL EMS UPS FEDEX