Происхождение товара
Guangdong, China
Тип корпуса
TO-126, TO-225AA, TO-126-3
Применение
Commercial product, Computer
Тип Поставщика
От оригинального производителя, Оптовая продажа женское бельё, Агентства
Доступные методы
Техническое описание, Фото
Коллектор тока (Ic) (макс)
3A
Пробой излучателя коллектора напряжения (макс.)
30V
Насыщенность Vce (Макс) @ Ib, Ic
1.1V @ 150mA, 3A
Отсек коллектора тока (макс.)
100μA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 2V
Рабочая Температура
150°C (TJ)
Способ Монтажа
Сквозное отверстие
Основание резистора-излучателя (R2)
-
Полевых транзисторов типа
-
Полевого транзистора характеристика
-
Слив в исходное напряжение (Vdss)
--
Ток-непрерывный слив (Id) при 25 °C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16.5mOhm @ 28A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
--
Входная емкость (СНПЧ) (Max) @ Vds
1696pF @ 25V
Напряжение-номинальное
15V 1A
Напряжение привода (Макс Rds вкл., мин Rds вкл.)
10V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 27A
Входная емкость (Cies) @ Vce
-
Пробой напряжения (V (BR) GSS)
-
Ток-слив (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Отключение напряжения (VGS off) @ Id
-
Смещение напряжения (Vt)
-
Ток-ворота для утечки анода (Igao)
-
Description
TRANS NPN 30V 3A SOT32 TO-126
Detailed Description
npn silicon power transistor
Transistor Element Material
SILICON
Package Style
FLANGE MOUNT
Manufacturer
NEC Electronics Group