Описание
Power Igbt Module
Происхождение товара
Japan
Применение
Высокая частота
Тип Поставщика
От оригинального производителя
Доступные методы
Техническое описание, Фото
Коллектор тока (Ic) (макс)
standard
Пробой излучателя коллектора напряжения (макс.)
standard
Насыщенность Vce (Макс) @ Ib, Ic
standard
Отсек коллектора тока (макс.)
standard
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce
standard
Рабочая Температура
standard
Резистор-основание (R1)
standard
Основание резистора-излучателя (R2)
standard
Полевых транзисторов типа
standard
Полевого транзистора характеристика
Стандарт
Слив в исходное напряжение (Vdss)
standard
Ток-непрерывный слив (Id) при 25 °C
standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs
standard
Vgs (th) (Max) @ Id
standard
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
standard
Входная емкость (СНПЧ) (Max) @ Vds
standard
Номинальный ток (Ампер)
standard
Power-выходная мощность
standard
Напряжение-номинальное
standard
Напряжение привода (Макс Rds вкл., мин Rds вкл.)
standard
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
standard
Входная емкость (Cies) @ Vce
standard
Пробой напряжения (V (BR) GSS)
standard
Ток-слив (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
standard
Ток слива (Id)-макс
standard
Отключение напряжения (VGS off) @ Id
standard
Сопротивление-RDS (ВКЛ)
standard
Смещение напряжения (Vt)
standard
Ток-ворота для утечки анода (Igao)
standard
В настоящее время-Peak
standard
Применения
Power Electronic
Product name
Transistor CMTDGF90H603G Power Transistor
SHIPPING
DHL UPS FedEx EMS DHL
Service
After-sales Service