Тип крепления
Поверхностное крепление
Описание
P-CH MOSFET 12V 2.6A SUPERSOT3
Происхождение товара
Texas, United States
Тип корпуса
До-236-3, SC-59, СОТ-23-3
Тип
Одиночные FETs MOSFETs
Рабочая температура
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Применение
P-CH MOSFET 12V 2.6A SUPERSOT3
Коллектор тока (Ic) (макс)
-
Пробой излучателя коллектора напряжения (макс.)
-
Насыщенность Vce (Макс) @ Ib, Ic
-
Отсек коллектора тока (макс.)
-
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce
-
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Способ Монтажа
Для поверхностного монтажа
Основание резистора-излучателя (R2)
-
Полевых транзисторов типа
P-канал
Полевого транзистора характеристика
MOSFET (оксид металла)
Слив в исходное напряжение (Vdss)
12 В
Ток-непрерывный слив (Id) при 25 °C
2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40 м @ 2.6A, 4,5 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1,5 V @ 250uA
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
17 nc @ 4,5 V
Входная емкость (СНПЧ) (Max) @ Vds
1138 pF @ 6 V
Напряжение привода (Макс Rds вкл., мин Rds вкл.)
-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
-
Входная емкость (Cies) @ Vce
-
Пробой напряжения (V (BR) GSS)
-
Ток-слив (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Отключение напряжения (VGS off) @ Id
-
Смещение напряжения (Vt)
-
Ток-ворота для утечки анода (Igao)
-
Применения
P-CH MOSFET 12V 2.6A SUPERSOT3
Рассеиваемая мощность (макс)
500 МВт (Ta)
Пакет
Лента и катушка (TR), резная лента (CT),Digi-катушка
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
1,8 V, 4,5 V
Технологии
MOSFET (оксид металла)
Пакет/Чехол
До-236-3, SC-59, СОТ-23-3
Качество
Новый и оригинальный